逆变器死区时间多少合适?

逆变器死区时间一般设置在2到10微秒之间，具体数值取决于开关器件类型和频率。死区时间太短会导致上下管直通烧毁，太长又会增加损耗降低效率。实际应用中，IGBT器件常用3到5微秒，MOSFET器件可短至1微秒。工程师需要结合电路参数反复调试才能找到最佳值。

死区时间还受温度和负载影响，高温时器件开关速度变慢需适当延长。高频逆变器死区时间占比不能超过开关周期的10%，否则波形畸变严重。工业级产品通常预留可调死区功能，用户可根据实际工况灵活设置。测试时可用示波器观察驱动波形，确保无交叠也无明显缺口。