半导体禁带宽度的意义是什么?

半导体禁带宽度决定材料导电能力，影响电子跃迁难易。禁带宽度大时，电子不易激发，适合高温高压环境；禁带宽度小时，导电性强，常用于高速芯片。硅禁带宽度约1.1电子伏特，锗约0.7电子伏特，砷化镓约1.4电子伏特，不同数值决定材料适用场景。

禁带宽度还关联半导体器件性能。发光二极管依赖禁带宽度释放光子，蓝光芯片需2电子伏特以上；太阳能电池需禁带宽度1至1.7电子伏特，才能高效吸收阳光。禁带宽度设计让半导体能定制功能，推动电子技术发展。