半导体禁带宽度越小越好吗?

半导体禁带宽度并非越小越好，禁带宽度直接影响材料导电性能，硅的禁带宽度约1.1电子伏特，适合制造芯片，而砷化镓约1.4电子伏特，更适合高频器件。禁带宽度太小会导致漏电流增大，器件发热严重，影响使用寿命和稳定性。

不同应用场景需要不同禁带宽度，发光二极管需要较大禁带宽度以发出特定颜色光，光伏电池则需要适中禁带宽度以高效吸收阳光。禁带宽度太大则材料导电性差，能量转换效率低，无法满足实际需求。