时间:01-20人气:21作者:颜方休
半导体掺杂浓度直接影响材料的导电性能,掺杂比例越高,自由载流子数量越多,导电能力越强。例如,硅中掺入百万分之一的硼,电阻率会下降数千倍。实际应用中,掺杂浓度从每立方厘米10的14次方到10的21次方不等,根据器件需求精确控制。
不同掺杂比例会导致半导体呈现n型或p型特性。磷、砷等五价元素提供电子,硼、铝等三价元素提供空穴。掺杂比例需与晶体结构匹配,否则会引发晶格缺陷。现代芯片制造中,掺杂浓度误差需控制在5个原子层以内,确保器件性能稳定。
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