vlsi中什么叫闸流效应?

闸流效应在VLSI中指半导体器件内部电流失控的现象，比如MOSFET的寄生双极晶体管导通，导致器件损坏。高温、高压或过流条件会触发此效应，电路设计时需加入保护结构，如限流电阻或钳位二极管，以避免器件烧毁。

闸流效应常见于功率器件和大规模集成电路，工艺偏差或电压瞬变也会诱发此问题。工程师通过优化版图布局和增加栅极驱动电路来抑制效应，确保芯片稳定工作。实际测试中，脉冲电流和温度监测是验证防护效果的关键手段。