载流子浓度一般是多少?

载流子浓度在半导体材料中差异很大。纯净的硅在室温下每立方厘米含有约100亿个自由电子和空穴。掺杂后浓度会显著增加，比如掺磷的硅可达每立方厘米1万亿个电子。金属的载流子浓度更高，铜每立方厘米有约1亿亿个自由电子。绝缘体的载流子浓度极低，每立方厘米不足100个。

载流子浓度受温度影响明显。温度每升高10度，半导体的载流子数量大约翻倍。不同材料的本征载流子浓度也不同，锗在室温下约为每立方厘米2400亿个，而砷化镓只有约100亿个。实际应用中，工程师会根据需要精确控制载流子浓度，以优化器件性能。