中国光刻机达到什么水平了?

中国光刻机技术近年取得显著进步，28纳米工艺已实现量产，14纳米设备完成研发验证。上海微电子等企业突破关键部件，光源系统、工件台精度大幅提升。国内芯片厂采购国产设备比例增加，部分封装测试环节已全面替代进口。

与国际顶尖水平相比，7纳米以下工艺仍有差距，EUV光刻机尚未攻克。但国家加大研发投入，高校与企业联合攻关，专利数量年增超千项。未来三年，国产光刻机有望进入5纳米领域，全球产业链地位持续增强。