时间:01-19人气:12作者:春华秋实
IGBT存在导通电流问题,导通时电流较大,可达数百安培。导通期间会产生热量,需要散热设计。导通电压降约1.5至3伏,影响效率。导通速度受栅极电容限制,开关过程可能产生振荡。导通过程中米勒效应会导致误导通风险。
实际应用中,IGBT导通电流需匹配驱动电路。导通时间短至几微秒,长至几十微秒。导通过程中寄生电感会引起电压尖峰。导通损耗占总损耗的30%到50%。导通时需注意短路保护,避免损坏器件。导通特性受温度影响显著,高温时性能下降。
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