ge的禁带宽度是多少?

禁带宽度是半导体材料的重要参数，指电子从价带跃迁到导带所需的最小能量。硅的禁带宽度约1.1电子伏特，砷化镓约1.4电子伏特，氮化镓约3.4电子伏特。金刚石禁带宽度高达5.5电子伏特，氧化锌约3.3电子伏特。不同材料的禁带宽度差异显著，直接影响其导电性能和应用领域。

禁带宽度决定了材料的光电特性。锗的禁带宽度仅0.67电子伏特，适合红外探测；碳化硅约3.2电子伏特，耐高压性能优异。氧化铟锡约3.7电子伏特，常用于透明导电膜。硫化镉约2.4电子伏特，多用于光伏电池。材料科学家通过调控禁带宽度，开发出适应不同需求的半导体器件。