多数载流子是由什么形成的?

多数载流子是由半导体材料中的掺杂元素形成的。比如在硅中掺入磷，多余电子成为自由电子；掺入硼，空穴成为主要载流子。这些掺杂原子提供额外电荷，使材料导电能力大幅提升，数量远超本征载流子。

载流子数量取决于掺杂浓度和材料类型。一块硅片掺入百万分之一的磷，就能产生大量自由电子。温度变化时，本征载流子会增多，但掺杂形成的多数载流子仍占主导地位，确保半导体器件稳定工作。