p型半导体的多数载流?

p型半导体中空穴是多数载流子，硼、铝等三价元素掺杂形成。硅晶体掺入硼后，硼原子周围少一个电子，产生空穴，这些空穴可以自由移动，导电能力增强。空穴数量远超自由电子，电流主要由空穴携带。常见的p型材料有硼掺杂硅、镓掺杂砷化镓，广泛应用于二极管、晶体管等器件。

p型半导体的导电性能受温度和杂质浓度影响，温度升高时，热激发产生的电子空穴对增多，但空穴仍占主导。实际应用中，通过控制掺杂浓度可以精确调节导电性，比如集成电路中的p型衬底。空穴的运动方向与电流方向一致，这是p型器件工作的基础原理。