忆阻器是什么结构?

忆阻器是一种新型电子元件，结构简单却功能强大。它由两层金属电极和中间的阻变材料组成，通过改变材料导电状态实现信息存储。这种结构让忆阻器能模拟人脑突触特性，适合用于神经网络计算。

忆阻器的阻变材料可以是氧化物、硫化物或有机物，厚度仅几纳米。施加电压后，材料内部会形成导电细丝，改变电阻值。断电后状态依然保持，这种非易失性让它成为未来存储技术的热门选择。