晶圆制造的关键技术是什么?

晶圆制造涉及光刻、蚀刻、薄膜沉积和离子注入等核心技术。光刻技术用紫外线在硅片上刻出纳米级电路，蚀刻则去除多余材料，薄膜沉积形成导电层，离子注入改变硅片导电性。这些步骤需在超净环境中重复数十次，确保芯片精度达到微米级别。

晶圆制造依赖高精度设备，如光刻机、刻蚀机和检测仪器。硅片直径从300毫米发展到450毫米，单次加工可产出数千颗芯片。温度控制、颗粒污染和材料纯度直接影响良品率，整个流程需严格监控，确保每片晶圆符合质量标准。