mos击穿电压与什么因素有关?

mos击穿电压与材料特性密切相关，比如硅的纯度、晶格结构直接影响耐压能力。器件结构也很关键，沟道长度、氧化层厚度、掺杂浓度都会改变击穿点。温度升高时，击穿电压会下降，环境湿度大时绝缘性能变差，电压承受能力减弱。制造工艺缺陷，如杂质颗粒、边缘不平整，会导致局部电场集中，提前发生击穿。

外部条件同样重要，电压上升速度太快，器件来不及响应就容易损坏。散热条件差时，热量积累会让内部温度飙升，击穿阈值降低。电路中的寄生电容、电感会形成振荡电压，瞬间超过器件承受极限。使用时超出最大额定值，或反复开关产生尖峰脉冲，都会永久损伤mos管，使其失去正常功能。