半导体外延工艺在哪个阶段进行?

半导体外延工艺主要在晶圆制造的前道阶段进行。这个阶段需要在晶圆表面生长一层或多层半导体薄膜，常见的工艺包括分子束外延和金属有机物化学气相沉积。整个过程需要在超高真空或特定气体环境下完成，温度精确控制在几百到上千摄氏度之间。

外延工艺完成后，晶圆会进入光刻、刻蚀等后续工序。外延层的厚度和纯度直接影响芯片性能，误差需控制在纳米级别。现代半导体工厂每天能处理数千片晶圆，每片晶圆上可制造数百个芯片。外延技术是制造高性能芯片的关键步骤之一。