雪崩击穿是不是热击穿?

雪崩击穿和热击穿是两种不同的物理现象。雪崩击穿发生在半导体中，强电场导致载流子倍增，电流急剧增大；热击穿则是器件过热导致电阻下降，电流持续增加最终烧毁。雪崩击穿需要高电场，热击穿依赖温度上升，两者机制完全不同。

雪崩击穿可逆，移除电场后器件能恢复；热击穿不可逆，器件永久损坏。雪崩击穿常见于二极管，热击穿多发生在功率器件中。雪崩击穿时间极短，热击穿过程较慢。两者区别明显，不能混淆。